BSS83P H6327
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Anschlüsse, Verbindungen
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Infineon Technologies BSS83P H6327
| Artikelnummer: | BSS83P H6327 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | BSS83P H6327 Infineon Technologies |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.471 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
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-
Infineon Technologies BSS83P H6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSS83P H6327.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 80µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23-3 Serie SIPMOS® Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 330mA, 10V Verlustleistung (max) 360mW (Ta) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 78pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.57nC @ 10V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 330mA (Ta) BSS83P H6327 Einzelheiten PDF [English] BSS83P H6327 PDF - EN.pdf -
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